少妇无码一区二区三区四区_亚洲国产精品高清在线_朝韩女人与黑人牲交交_一女多男的共妻肉辣文快穿

中文 EN
首頁
關(guān)于我們
新品發(fā)布
650V Super Junction N-Channel MOSFET
650V Super Junction N-Channel MOSFET 返回
 新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 1.采用揚杰科技特殊多層外延工藝制程設(shè)計的650V系列超結(jié)產(chǎn)品，可以滿足低導(dǎo)通損耗、低開 關(guān)損耗、EMI兼容性以及不同電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)應(yīng)用要求，產(chǎn)品具有良好的導(dǎo)通內(nèi)阻（Rdson)和柵 極電荷（Qg)性能，降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，更低的開關(guān)噪聲、更低的Trr，綜合提升系統(tǒng)穩(wěn) 定性及性能。
2.開關(guān)速度與EMI平衡、更低的Trr特點，適用于充電器，電源適配器，TV電源、工業(yè)電源等領(lǐng) 域，亦可滿足一些半橋或各種橋式電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)應(yīng)用要求。
產(chǎn)品特點 1.采用揚杰科技特殊多層外延工藝制程設(shè)計，具有更高的工藝穩(wěn)定性和可靠性，開關(guān)速度與EMI 平衡、更低的Trr特點；
2.系列產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗低的特點；
3.采用TO-252/ITO-220AB封裝，具有更好的熱值特性。
規(guī)格書
相關(guān)新品

用于手機(jī)電路板的DFN1608封裝小信號肖特基二極管

應(yīng)用于PD電源的100V 3.2mΩ SGT MOSFET新品

用于光伏逆變器、儲能逆變器的微溝槽IGBT

1200V 80 mΩ SIC MOSFET

恒VC ESD產(chǎn)品

應(yīng)用于汽車PTC的80A/1200V IGBT單管

用于光伏微逆的SGT MOSFET 新品

用于PC主板的High-side+Low-side PDFN5060 N30V Mosfet

SOD-123HE瞬態(tài)抑制二極管

DFN0603系列小信號肖特基及開關(guān)管

Privacy Cookies 本網(wǎng)站使用瀏覽器紀(jì)錄 Cookies 來優(yōu)化您的使用體驗，相關(guān)信息請訪問我們的法律聲明與隱私聲明。如果您選擇繼續(xù)瀏覽這個提示，便表示您已接受我們網(wǎng)站的使用條款。